Заказ работы

Заказать
Каталог тем

Самые новые

Значок файла Производственная специальная практика: Метод. указ. и рабочая программа / Сост.: Н.И. Швидков, В.Б. Деев, А.В. Феоктистов: СибГИУ. – Новокузнецк, 2002. – 14 с (6)
(Методические материалы)

Значок файла Программа и методические указания по проведению преддипломной практики на металлургических предприятиях.: Метод. указ. / Сост.: И.К.Коротких, А.А.Усольцев, А.И.Куценко: СибГИУ - Новокузнецк, 2004- 20 с (5)
(Методические материалы)

Значок файла Программа и методические указания по проведению производственной практики на металлургических предприятиях. : Метод. указ / Сост.: И.К. Коротких, Б.А. Кустов, А.А. Усольцев, А.И. Куценко: СибГИУ - Но-вокузнецк 2003- 22 с. (4)
(Методические материалы)

Значок файла Применение регрессионного и корреляционного анализа при проведе-нии исследований в литейном производстве: Метод. указ. / Сост.: О.Г. Приходько: ГОУ ВПО «СибГИУ». – Новокузнецк. 2004. – 18 с., ил. (5)
(Методические материалы)

Значок файла Преддипломная практика: Метод. указ. и рабочая программа / Сост.: Н.И. Швидков, В.Б. Деев, А.В. Феоктистов: СибГИУ. – Новокузнецк, 2002. – 9 с. (7)
(Методические материалы)

Значок файла Неразрушающие методы контроля Ультразвуковая дефектоскопия отливок Методические указания к выполнению практических занятий по курсу «Метрология, стандартизация и сертификация» Специальность «Литейное производство черных и цветных металлов» (110400), специализации (110401) и (110403) (9)
(Методические материалы)

Значок файла Муфта включения с поворотной шпонкой кривошипного пресса: Метод. указ. / Сост. В.А. Воскресенский, СибГИУ. - Новокуз-нецк, 2004. - 4 с (11)
(Методические материалы)

Каталог бесплатных ресурсов

Сенсорные и электронные элементы мехатронных систем

Целью методических указаний является оказание помощи  студентам в изучении инженерных методов расчета транзисторных усилителей информационных сигналов, а также принципов их моделирования в среде «CIRCUITMAKER».

 

 

Копп В.Я., доктор техн.  наук, профессор, заведующий кафедрой

    «Автоматизированные приборные системы»

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.

Согласно ЕСКД по выполнению электрических схем в процессе проектирования необходимо составлять перечень элементов принципиально электронных схем (по аналогии со спецификацией механических устройств).

Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ.

С-конденсаторы;

D-микросхемы;

DA-аналоговые микросхемы;

DD-цифровые микросхемы.

L-индуктивности;

R-резисторы; 

VD-полупроводниковые диоды;

VT-транзисторы.

Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».


Краткие теоретические сведения

Схемы транзисторных усилителей классифицируются по названию заземленного (общего) электрода транзистора-эмиттера, коллектора и базы. Существует три схемы включения биполярных транзисторов: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усилительные свойства транзистора характеризуются следующими статическими параметрами:

статический коэффициент передачи тока эмиттера  транзистора;

статический коэффициент передачи тока базы  транзистора.

Параметры a и b связаны соотношениями:

a=b/(1+b) ;                                                         b=a/(1-a).                                                        

Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению.

Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ. Поэтому импеданс эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению резистора Rэ и емкостного сопротивления  конденсатора Сэ.

 

 

 

 

 

Методические указания предназначены для студентов специальностей 7.092501-«Автоматизированное управление технологическими процессами и производствами» и 7.092502 – «Автоматизированное управление компьютерно - интегрированными технологическими комплексами» дневной и заочной форм обучения.

 

 

Методические указания рассмотрены и утверждены на заседании кафедры «Автоматизация технологических процессов и производств» «__» ____ 2006 г., протокол № __

 

 

Допущено учебно-методическим центром СевНТУ в качестве методических указаний



Размер файла: 108 Кбайт
Тип файла: doc (Mime Type: application/msword)
Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Вход для партнеров