Заказ работы

Заказать
Каталог тем

Самые новые

Значок файла Зимняя И.А. КЛЮЧЕВЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ как результативно-целевая основа компетентностного подхода в образовании (4)
(Статьи)

Значок файла Кашкин В.Б. Введение в теорию коммуникации: Учеб. пособие. – Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. – 175 с. (5)
(Книги)

Значок файла ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ КОМПЕТЕНТНОСТНОГО ПОДХОДА: НОВЫЕ СТАНДАРТЫ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ (6)
(Статьи)

Значок файла Клуб общения как форма развития коммуникативной компетенции в школе I вида (11)
(Рефераты)

Значок файла П.П. Гайденко. ИСТОРИЯ ГРЕЧЕСКОЙ ФИЛОСОФИИ В ЕЕ СВЯЗИ С НАУКОЙ (12)
(Статьи)

Значок файла Второй Российский культурологический конгресс с международным участием «Культурное многообразие: от прошлого к будущему»: Программа. Тезисы докладов и сообщений. — Санкт-Петербург: ЭЙДОС, АСТЕРИОН, 2008. — 560 с. (16)
(Статьи)

Значок файла М.В. СОКОЛОВА Историческая память в контексте междисциплинарных исследований (15)
(Статьи)

Каталог бесплатных ресурсов

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ «Расчет транзисторного усилителя с общим коллектором»

 


ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.

Согласно ЕСКД по выполнению электрических схем в процессе проектирования необходимо составлять перечень элементов принципиально электронных схем (по аналогии со спецификацией механических устройств).

Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ.

С-конденсаторы;

D-микросхемы;

DA-аналоговые микросхемы;

DD-цифровые микросхемы.

L-индуктивности;

R-резисторы; 

VD-полупроводниковые диоды;

VT-транзисторы.

Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».Краткие теоретические сведения

Схемы транзисторных усилителей классифицируются по названию заземленного (общего) электрода транзистора-эмиттера, коллектора и базы. Существует три схемы включения биполярных транзисторов: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усилительные свойства транзистора характеризуются следующими статическими параметрами:

статический коэффициент передачи тока эмиттера  транзистора;

статический коэффициент передачи тока базы  транзистора.

Параметры a и b связаны соотношениями:

a=b/(1+b) ;                                                         b=a/(1-a).                                                                 

Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению.

Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ. Поэтому импеданс эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению резистора Rэ и емкостного сопротивления  конденсатора Сэ.

Комплексный коэффициент усиления  в схеме с ОЭ определяется выражением:

                                      ,                                              

где Rk, Rэ – активное сопротивление в коллекторной и эмиттерной цепи транзистора соответственно; фазовый сдвиг в эмиттерной цепи транзистора; круговая частота входного сигнала.

ЗАДАНИЕ: Рассчитать транзисторный усилитель с общим эмиттером 
                       (Рисунок 1)

 

 



Размер файла: 106 Кбайт
Тип файла: doc (Mime Type: application/msword)
Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Вход для партнеров