Заказ работы

Заказать
Каталог тем

Самые новые

Значок файла Основы микропроцессорной техники: Задания и методические указания к выполнению курсовой работы для студентов специальности 200400 «Промышленная электроника», обучающихся по сокращенной образовательной программе: Метод. указ./ Сост. Д.С. Лемешевский. – Новокузнецк: СибГИУ, 2003. – 22 с: ил. (4)
(Методические материалы)

Значок файла Организация подпрограмм и их применение для вычисления функций: Метод. указ./ Сост.: П.Н. Кунинин, А.К. Мурышкин, Д.С. Лемешевский: СибГИУ – Новокузнецк, 2003. – 15 с. (2)
(Методические материалы)

Значок файла Оптоэлектронные устройства отображения информации: Метод. указ. / Составители: Ю.А. Жаров, Н.И. Терехов: СибГИУ. –Новокузнецк, 2004. – 23 с. (2)
(Методические материалы)

Значок файла Определение частотных спектров и необходимой полосы частот видеосигналов: Метод указ./Сост.: Ю.А. Жаров: СибГИУ.- Новокузнецк, 2002.-19с., ил. (2)
(Методические материалы)

Значок файла Определение первичных и вторичных параметров кабелей связи: Метод. указ./ Сост.: Ю. А Жаров: СибГИУ. – Новокузнецк, 2002. – 18с., ил. (2)
(Методические материалы)

Значок файла Операционные усилители: Метод. указ. / Сост.: Ю. А. Жаров: СибГИУ. – Новокузнецк, 2002. – 23с., ил. (2)
(Методические материалы)

Значок файла Моделирование электротехнических устройств и систем с использованием языка Си: Метод указ. /Сост. Т.В. Богдановская, С.В. Сычев (7)
(Методические материалы)


Заказ научной авторской работы

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ І КІНЕТИЧНИЙ АНАЛІЗ ВЛАСНИХ ДЕФЕКТІВ У НІТРИДІ ГАЛІЯ

Анотація: Проведено термодинамічний аналіз складу власних дефектів у GaN. Розглянуті причини що визначають схильність GaN до монополярного типу провідності. Запропонована кінетична модель дефектоутворення.

 

 

Вступ. Синтез якісних нітрид-галійових монокристалів і плівок дозволив створити ефективні світлодіоди та інжекційні лазери, що випромінюють у голубій та зеленої областях спектра [1]. Основним каналом випромінювальної рекомбінації є власні точкові дефекти GaN, що формують глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні [2]. Від стехіометрії плівок GaN залежать люмінесцентні властивості й ефективність випромінюючих структур.

Дане з'єднання практично незалежне від способів одержання володіє n–типом провідності. Як відзначається в [3,4] власні точкові дефекти відіграють визначальну роль у компенсації провідності GaN. Так, за компенсацію n–типу GaN відповідає VGa граюча роль акцепторного центра [5,6], при цьому інші дефекти не враховуються, оскільки енергія утворення їхній вище чим у VGa (). У GaN p–типу легованого Mg основним компенсуючим центром є VN [7].

Постановка проблеми. Нітрид галію характеризується досить складним набором власних точкових дефектів. Згідно [8] вакансія галію потрійний акцептор із глибиною залягання 0,2 еВ, 0,8 еВ і 1,1-1,8 еВ вище стелі валентної зони. Хоча прямими методами (ЕПР, ОДМР) вакансії галію не спостерігалися, автори [9] досліджуючи природу “жовтої” люмінесценції в області 2,2-2,8 еВ зв'язують цю смугу з переходом дрібний донор (можливо VN) – вакансія галію VGa. При цьому передбачається, що вакансія галію залягає на глибині 0,8-1,7 еВ вище стелі валентної зони. У [10] повідомляється, що вакансія галію утворює глибокий рівень лежачий на 0,8-1,1 еВ нижче дна зони провідності. Вакансія азоту виконує роль донора і також може знаходитися в трьохзарядовому стані. З вакансією азоту зв'язують рівні 0,03 еВ, 0,1 еВ і 0,4 еВ, що залягають нижче дена зони провідності. Автори [11,12] з вакансією азоту зв'язують рівні 0,24 еВ, 0,35-0,4 еВ і 0,8-2,0 еВ.

Результати дослідження. Теоретична оцінка концентрації власних дефектів дозволяє представити загальну картину присутності різних типів дефектів у нітриді галію. Крім того, такий аналіз дає можливість перевірити правильність експериментальних даних про глибину залягання дефектів і оцінити внесок різних типів дефектів в оптичні і електрофізичні властивості термообробленого в парах компонентів матеріалу.

У роботі обговорюються результати розрахунку діаграми рівноваги власних точкових дефектів у GaN за схемою Шоткі-Френкеля в інтервалі температур 400–1200°С. Рівняння, що описують прийняту схему дефектоутворення, запишемо у такий спосіб:

;                                                            (1)

                                                         (2)

                                                            (3)

                                                       (4)

                                                         (5)

                                                       (6)


* поля отмеченные звёздочкой, обязательны для заполнения!

Тема работы:*
Вид работы:
контрольная
реферат
отчет по практике
курсовая
диплом
магистерская диссертация
кандидатская диссертация
докторская диссертация
другое

Дата выполнения:*
Комментарии к заказу:
Ваше имя:*
Ваш Е-mail (указывайте очень внимательно):*
Ваш телефон (с кодом города):

Впишите проверочный код:*    
Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Обратная связь

Доставка любой диссертации из России и Украины

Вход для партнеров