Заказ работы

Заказать
Каталог тем

Самые новые

Значок файла Методические указания к научно-исследовательской работе студентов по курсу “Социология”. Ч. 1/ Сост.: Е. А. Сафонова: СибГИУ. - Новокузнецк, 2003. – 45 (3)
(Методические материалы)

Значок файла Методические рекомендации для практических занятий по психологии: Метод. указ./ Сост.: С. Г. Колесов: СибГИУ. – Новокузнецк, 2002. – 29 (8)
(Методические материалы)

Значок файла Методические указания по проведению производственной практики (первой). Специальность «Промышленное и гражданское строительство» (290300) (3)
(Методические материалы)

Значок файла Контроль качества бетона. Определение прочности бетона неразру-шающими методами. Методические указания к выполнению лабора-торных работ по курсу «Технология строительных процессов». Специ-альность «Промышленное и гражданское строительство» (290300) (5)
(Методические материалы)

Значок файла Динамика. Тема 6. ПРИНЦИП ВОЗМОЖНЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ: Расч. прак./ Сост.: Г.Т. Баранова, Н.И. Михайленко: СибГИУ.-Новокузнецк, 2003.- с (3)
(Методические материалы)

Значок файла Семенихин А.Я. С 30 Технология подземных горных работ: Учебное пособие / А.Я. Семенихин, В.И. Любогощев, Ю.А. Златицкая. – Новокузнецк: СибГИУ, 2003. - 91 с (23)
(Методические материалы)

Значок файла Огнев С.П., Ляховец М.В. Основы теории управления: методические указания. – Новокузнецк: ГОУ ВПО «СибГИУ», 2004. – 45 с (17)
(Методические материалы)

Каталог бесплатных ресурсов

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ «Расчет транзисторного усилителя с общим коллектором»

 


ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.

Согласно ЕСКД по выполнению электрических схем в процессе проектирования необходимо составлять перечень элементов принципиально электронных схем (по аналогии со спецификацией механических устройств).

Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ.

С-конденсаторы;

D-микросхемы;

DA-аналоговые микросхемы;

DD-цифровые микросхемы.

L-индуктивности;

R-резисторы; 

VD-полупроводниковые диоды;

VT-транзисторы.

Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».Краткие теоретические сведения

Схемы транзисторных усилителей классифицируются по названию заземленного (общего) электрода транзистора-эмиттера, коллектора и базы. Существует три схемы включения биполярных транзисторов: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усилительные свойства транзистора характеризуются следующими статическими параметрами:

статический коэффициент передачи тока эмиттера  транзистора;

статический коэффициент передачи тока базы  транзистора.

Параметры a и b связаны соотношениями:

a=b/(1+b) ;                                                         b=a/(1-a).                                                                 

Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению.

Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ. Поэтому импеданс эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению резистора Rэ и емкостного сопротивления  конденсатора Сэ.

Комплексный коэффициент усиления  в схеме с ОЭ определяется выражением:

                                      ,                                              

где Rk, Rэ – активное сопротивление в коллекторной и эмиттерной цепи транзистора соответственно; фазовый сдвиг в эмиттерной цепи транзистора; круговая частота входного сигнала.

ЗАДАНИЕ: Рассчитать транзисторный усилитель с общим эмиттером 
                       (Рисунок 1)

 

 



Размер файла: 106 Кбайт
Тип файла: doc (Mime Type: application/msword)
Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Вход для партнеров