Заказ работы

Заказать
Каталог тем

Самые новые

Значок файла Неразрушающие методы контроля Ультразвуковая дефектоскопия отливок Методические указания к выполнению практических занятий по курсу «Метрология, стандартизация и сертификация» Специальность «Литейное производство черных и цветных металлов» (110400), специализации (110401) и (110403) (2)
(Методические материалы)

Значок файла Муфта включения с поворотной шпонкой кривошипного пресса: Метод. указ. / Сост. В.А. Воскресенский, СибГИУ. - Новокуз-нецк, 2004. - 4 с (3)
(Методические материалы)

Значок файла Материальный и тепловой баланс ваграночной плавки. Методические указания /Составители: Н. И. Таран, Н. И. Швидков. СибГИУ – Новокузнецк, 2004. – 30с (3)
(Методические материалы)

Значок файла Изучение конструкции и работы лабораторного прокатного стана дуо «200» :Метод. указ. / Сост.: В.А. Воскресенский, В.В. Почетуха: ГОУ ВПО «СибГИУ». - Новокузнецк, 2003. - 8 с (4)
(Методические материалы)

Значок файла Дипломное проектирование: Метод. указ. / Сост.: И.К.Коротких, А.А.Усольцев, А.И.Куценко: СибГИУ - Новокузнецк, 2004- 21 с (4)
(Методические материалы)

Значок файла Влияние времени перемешивания смеси на ее прочность в сыром состоянии и газопроницаемость: метод. указ./ Сост.: Климов В.Я. – СибГИУ: Новокузнецк, 2004. – 8 с. (4)
(Методические материалы)

Значок файла Вероятностно-статистический анализ эксперимента: Метод. указ. / Сост.: О.Г. Приходько: ГОУ ВПО «СибГИУ». – Новокузнецк. 2004. – 18 с., ил. (4)
(Методические материалы)

Каталог бесплатных ресурсов

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ «Расчет транзисторного усилителя с общим коллектором»

 


ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.

Согласно ЕСКД по выполнению электрических схем в процессе проектирования необходимо составлять перечень элементов принципиально электронных схем (по аналогии со спецификацией механических устройств).

Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ.

С-конденсаторы;

D-микросхемы;

DA-аналоговые микросхемы;

DD-цифровые микросхемы.

L-индуктивности;

R-резисторы; 

VD-полупроводниковые диоды;

VT-транзисторы.

Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».Краткие теоретические сведения

Схемы транзисторных усилителей классифицируются по названию заземленного (общего) электрода транзистора-эмиттера, коллектора и базы. Существует три схемы включения биполярных транзисторов: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усилительные свойства транзистора характеризуются следующими статическими параметрами:

статический коэффициент передачи тока эмиттера  транзистора;

статический коэффициент передачи тока базы  транзистора.

Параметры a и b связаны соотношениями:

a=b/(1+b) ;                                                         b=a/(1-a).                                                                 

Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению.

Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ. Поэтому импеданс эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению резистора Rэ и емкостного сопротивления  конденсатора Сэ.

Комплексный коэффициент усиления  в схеме с ОЭ определяется выражением:

                                      ,                                              

где Rk, Rэ – активное сопротивление в коллекторной и эмиттерной цепи транзистора соответственно; фазовый сдвиг в эмиттерной цепи транзистора; круговая частота входного сигнала.

ЗАДАНИЕ: Рассчитать транзисторный усилитель с общим эмиттером 
                       (Рисунок 1)

 

 



Размер файла: 106 Кбайт
Тип файла: doc (Mime Type: application/msword)
Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Вход для партнеров