Заказ работы

Заказать
Каталог тем
Каталог бесплатных ресурсов

МУ Расчет транзисторного усилителя с общим эмиттером

 

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ

 

СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ

 

 

ФАКУЛЬТЕТ АВТОМАТИЗАЦИИ,

МАШИНОПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ТРАНСПОРТА

 

 

 

 

 

 

Кафедра автоматизации

технологических процессов

и  производств

 

 

 

 

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ

 

«Расчет транзисторного усилителя с общим эмиттером»

 

Дисциплина «Сенсорные и электронные элементы мехатронных систем»

 

 

Для специальностей:

7.092501-«Автоматизированное управление технологическими процессами и производствами».

7.092502 - «Компьютерно-интегрированные технологические

комплексы  и производства».

 

 

 

 

Севастополь

2002 г.

     УДК

Методические указания для практических занятий по 
   дисциплине "Сенсорные и электронные элементы     
    мехатронных систем"

Расчет  транзисторного усилителя с общим эмиттером.    
  
Сост. Сопин Ю. К.  – Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2002 – 11 с.

 

 

Целью методических указаний является оказание помощи  студентам в изучении инженерных методов расчета транзисторных усилителей информационных сигналов, а также принципов их моделирования в среде «CIRCUITMAKER».

 

 

 

 

Методические указания предназначены для студентов специальностей 7.092501-«Автоматизированное управление технологическими процессами и производствами» и 7.092502 – «Автоматизированное управление компьютерно - интегрированными технологическими комплексами» дневной и заочной форм обучения.

 

 

Методические указания рассмотрены и утверждены на заседании кафедры «Автоматизация технологических процессов и производств» «__» ____ 2006 г., протокол № __

 

 

Допущено учебно-методическим центром СевНТУ в качестве методических указаний

 

 

 

 

 

Рецензент:

                        Копп В.Я., доктор техн.  наук, профессор, заведующий кафедрой

    «Автоматизированные приборные системы»

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.

Согласно ЕСКД по выполнению электрических схем в процессе проектирования необходимо составлять перечень элементов принципиально электронных схем (по аналогии со спецификацией механических устройств).

Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ.

С-конденсаторы;

D-микросхемы;

DA-аналоговые микросхемы;

DD-цифровые микросхемы.

L-индуктивности;

R-резисторы; 

VD-полупроводниковые диоды;

VT-транзисторы.

Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».


Краткие теоретические сведения

Схемы транзисторных усилителей классифицируются по названию заземленного (общего) электрода транзистора-эмиттера, коллектора и базы. Существует три схемы включения биполярных транзисторов: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усилительные свойства транзистора характеризуются следующими статическими параметрами:

статический коэффициент передачи тока эмиттера  транзистора;

статический коэффициент передачи тока базы  транзистора.

Параметры a и b связаны соотношениями:

a=b/(1+b) ;                                                         b=a/(1-a).                                                        

Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению.

Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ. Поэтому импеданс эмиттерной цепи соответствует параллельному соединению резистора Rэ и емкостного сопротивления  конденсатора Сэ.

Комплексный коэффициент усиления  в схеме с ОЭ определяется выражением:

                                      ,                                              

где Rk, Rэ – активное сопротивление в коллекторной и эмиттерной цепи транзистора соответственно; фазовый сдвиг в эмиттерной цепи транзистора; круговая частота входного сигнала.

ЗАДАНИЕ: Рассчитать транзисторный усилитель с общим эмиттером 
                       (Рисунок 1)

 

Рисунок 1 – Электрическая схема усилителя с общим эмиттером

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Варианты индивидуальных заданий

Таблица 1- Технические параметры усилителя *)

 

Характеристические параметры

Вариант

1

Проводимость транзистора:

 

«pnp» – нечетный;

«npn» – четный

Номер варианта («чет.» -«нечет.»)

выбирается по последней цифре

зачетной книжки

2

Напряжение питания (В)*10-1

две последних (значащих) цифры зачетной книжки

3

Сопротивление нагрузки (кОм)

три последних цифры зачетной

книжки

4

Коэффициент передачи тока базы

транзистора

две последних цифры зачетной

книжки (либо выбирается по справочнику)

5

Коэффициент усиления по напряжению Кu

Заказ курсовой диплома или диссертации.

Горячая Линия


Вход для партнеров